用于Ｘ射线光刻掩模的ＳｉＮ〈，Ｘ〉薄膜

摘要

Ｘ射线光刻目前被认为是替代光学光刻进入深亚微米制造领域的最有希望的几种技术之一，Ｘ射线光刻技术进入工业化生产的关键是需要解决光刻掩模制造技术。该文报道了在高温下采用ＬＰＣＶＤ方法制备低张应力ＳｉＮ〈，Ｘ〉薄膜的工艺过程，获得的ＳｉＮ〈，Ｘ〉薄膜具有低张应力，高透光率特性，成品率和重复性增多有大幅度提高。可用于Ｘ射线掩模制造。