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佟丽英; 史继祥; 王聪;
中国电子学会;
硅抛光电; 氧化诱生缺陷; 表面质量;
机译:硅氧化过程中非平衡点缺陷的形成机理和变化速率
机译:硅氧化过程中非均质点缺陷的形成机理和变化速率的研究
机译:木酚素二硫戊环类似物抑制γ-干扰素和脂多糖rn在巨噬细胞中诱生一氧化氮
机译:低剂量植入硅鳍结构的缺陷形成机理
机译:在二氧化f和基于二氧化硅的金属氧化物-硅结构中,与偏置温度不稳定性和应力引起的泄漏电流有关的缺陷的磁共振观察。
机译:粘膜侵袭性和非侵袭性锥虫锥虫诱生的上皮细胞中差异性白介素8和一氧化氮的产生
机译:脳内セロトニン浓度はトラマドール诱発性痉挛の発生を制御する:トラマドール诱発性痉挛とセロトニン症候群の相违点について
机译:区域熔化 - 重结晶硅 - 绝缘体薄膜上产生的缺陷相关介电击穿,变化陷阱和界面态氧化物生成
机译:减少硅缺陷形成的方法和构成的互补金属氧化物膜集成电路,以减少硅缺陷的形成
机译:生蜂窝结构体的制造方法,制造方法以及检测生蜂窝体缺陷的生蜂窝体缺陷的调查仪器无效
机译:源漏区表生形成机理的不对称循环沉积与蚀变过程
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