化合物半导体近红外光荧光测试中的布里渊散射

摘要

报告了InGaAsP/InP异质体材料光荧光测试中的受激布里渊散射，实验表明，该类材 料在温度为20～150K，光入射功率为4.5～6.0mW，观测到光荧光谱(PLS)中强度和频移对称 的多声子伴线，并讨论了它们的特性。