InGaAs/InP中离子注入和新型HPT

摘要

InGaAs/InP是制作光电器件与微波器件的重要材料。离子注入InGaAs/InP做掺杂或制作高阻层是人们十分关注的研究课题。采用Fe<'+>注入InGaAs/InP得到了电阻率升高的好结果。用Be<'+>注入制作了新结构HPT的基区。研制成功了在1.55μm波长工作的InGaAs/InP新结构光电晶体管，在0.3μW入射光条件下，光电增益为350。