低泄漏GaAs FET模拟开关的研究

摘要

GaAsFET模拟开关已经用于开关电容、开关电容滤波器、自校准、采样保持、信号切换、选通等电路中,频率从几十兆赫兹到几千兆赫.例如GaAs开关电容滤波器的开关频率已经高达500MHz和1GHz.但是,由于过去的模拟开关很难消除控制电平的泄漏,且控制电平引起的振铃偏高,使其在许多应用中受到限制.在高频信号切换和选通系统中,脉冲泄漏和振铃的丰富的高频分量叠加到信号上,降低了系统的信噪比.因此降低开关的脉冲泄漏和振铃幅度成为提高开关性能的重要参数。本文对降低开关脉冲泄漏和振铃幅度进行了初步研究,取得了较好的结果。本文还讨论了影响GaAsFET开关的振铃和控制脉冲泄漏的因素,并对此进行了优化设计,根据设计的结果制备的开关取得了较理想的低泄漏性能,达到了预期的目的.但影响控制脉冲泄漏和振铃的因素很多,还和负载的情况有很大关系,另外串并联开关需要两个互补的控制信号,而实际情况中,两个控制信号是由驱动器提供的,两个信号的时域关系也对振铃有很大影响,因此要完全优化是很困难的,对此还需要进行更细致的研究。