TH-E:MOS器件可靠性寿命综合模拟软件

摘要

该文中描述了一种典型的MOSFET可靠性模拟软件，软件中不仅包括针对N型和P型MOSFET器件中热载流子效应、TDDB效应以及电迁移效应的单一机理软件件模块，而且还包括热载流子效应和TDDB效应的综合模拟以及上述三种失效机理的综合模拟模块。