离子的双电子复合截面为例,计算结果与实验相比误差在10℅以内。同时,发现在283eV附近的一个很强的共振峰主要是(ls2p<'1>P)3d<'2>F<,5/2.7/2>两个态的贡献。但是,在以前的工作中,这个峰被标定为(ls2p<'1>P)3p<'2>S<,1/2>。'/> 双电子复合过程的多通道理论-徐雅琼刘勇邹宇刘勇-中文会议【掌桥科研】
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双电子复合过程的多通道理论

摘要

提出了一种关于双电子复合过程的多通道理论,它是一种相对论性非微扰理论方法,能够用于任何高原子序离子的双电子复合计算。以C<'4+>离子的双电子复合截面为例,计算结果与实验相比误差在10℅以内。同时,发现在283eV附近的一个很强的共振峰主要是(ls2p<'1>P)3d<'2>F<,5/2.7/2>两个态的贡献。但是,在以前的工作中,这个峰被标定为(ls2p<'1>P)3p<'2>S<,1/2>。

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