SiH<,4>分子近阈结构的理论研究

摘要

利用多重散射自洽场方法，计算了SiH<,4>分子内壳层(2s，2p)电子跃迁光吸收谱，计算的能级位置和振子强度密度都与实验符合较好。通过研究Si2p→3pt<,2>(3t<,2>)跃迁，初步判断跃迁后SiH<,4>分子核构型将发生变化。（可能由基态时的Td对称性转变为C<,3v>对称性。）