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增强光电流模型对微电路PN结的二维数值模拟

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本文针对新一代微电路PN结结构提出了增强光电流模型.该模型在Wirth-Rogers光电流模型的基础上,增加考虑了高注入对过剩载流子寿命的影响以及衬底(准中性区)电场的效应.这些效应对于高阻材料是不容忽视的.该模型对正确预估微电路PN结瞬态电离辐射响应提供了很好的评估手段.

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来源
《第三届计算物理学术会议》|2001年|252-257|共6页
会议地点乌鲁木齐
作者
郭红霞; 张义门; 陈雨生; 周辉; 陈世彬; 龚仁喜; 关颖; 韩福斌; 龚建成;
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作者单位

中国核学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类半导体性质;
关键词
微电路; 光电流; 过剩载流子; 电离辐射;
入库时间 2022-08-17 10:24:09

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