涂敷法制备碳纳米管场发射阴极的研究

摘要

本文研究了用涂敷法制备碳纳米管场发射阴极的工艺,热解法获得的碳纳米管经过研磨,再与粘合剂、有机溶剂混合,直接涂敷在硅基底上,用二极管结构测量了其场发射特性,其开启电压为1.02V/μm,电流密度在4.5V/μm时达到了6.8μA/cm<'2>.在磁场下进行表面处理,开启电压提高到2.79V/μm,但最大发射电流有很大提高,可能缘于在磁场的作用下,碳纳米管的取向、分布状态发生了变化.