cm<'-2>,比GaAs基和InP基调制掺杂HEMT结构材料的二维电子气浓度高一个多量级.本文从实验和理论两方面对极化诱导Al<,x>Ga<,1-x>N/GaNHEMT结构'/>
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王晓亮;
中国电子学会;
中国有色金属学会;
Al,xGa,1-xN/GaN;
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