首页> 中文会议>中国电子学会第八届青年学术年会暨中国电子学会青年工作委员会成立十周年学术研讨会 >极化诱导AlxGa1-XN/GaN HEMT结构材料及器件性能研究

极化诱导AlxGa1-XN/GaN HEMT结构材料及器件性能研究

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

用压电极化和自发极化诱导效应设计了AlxGa1-zN/GaNHEMT结构材料,用MBE方法在蓝宝石衬底上对所设计的材料进行了制备.室温HALL测量结果表明,HEMT结构材料的二维电子气浓度和迁移率分别为6.9×1012cm-2和755cm2/V.s.用此材料研制的HEMT器件的室温跨导约为50mS/mm(栅长为2微米),特征频率约为13GHz.对器件的高温特性进行了分析研究.

著录项

来源
《中国电子学会第八届青年学术年会暨中国电子学会青年工作委员会成立十周年学术研讨会》|2002年|843-845|共3页
会议地点合肥
作者
王晓亮; 孙殿照; 王军喜; 胡国新; 刘宏新; 刘成海; 曾一平; 李晋闽; 林兰英;
展开▼
作者单位

中国电子学会;

展开▼
会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类化合物半导体;
关键词
AlxGa1-xN/GaN; 分子束外延; HEMT; 二维电子气; 压电极化; 自发极化;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. Al组分对MOCVD制备的AlxGa1-xN/AlN/GaN HEMT电学和结构性质的影响 [J] . 陈翔 ,邢艳辉 ,韩军 . 发光学报 . 2013,第012期
2. 高介电BST材料对MIS结构AlGaN/GaN HEMT器件性能的影响 [J] . 周建军 ,张继华 ,陈堂胜 . 半导体技术 . 2008,第S1期
3. 一种具有极化调制层的AlGaN/GaN HEMT结构 [J] . 代一丹 ,陈永和 ,田雨 . 桂林电子科技大学学报 . 2021,第004期
4. 快重离子辐照引起AlGaN/GaN HEMTs器件性能退化 [J] . Hu Peipei ,Liu Jie ,Zhang Shengxia . 中国科学院近代物理研究所和兰州重离子研究装置年报：英文版 . 2017,第1期
5. AlGaN/GaN HEMTs器件布局对器件性能影响分析 [J] . 刘果果 ,魏珂 ,郑英奎 . 电子器件 . 2008,第006期
6. 极化诱导AlxGa1-xN/GaN HEMT结构材料及器件性能研究 [C] . 王晓亮 ,孙殿照 ,王军喜 . 第六届全国分子束外延学术会议 . 2001
7. P-GaN退火对GaN基LED外延材料及器件性能的影响 [A] . 孙丽 . 2013

极化诱导AlxGa1-XN/GaN HEMT结构材料及器件性能研究

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅