三元混晶AlxGa1-xN和RbxK1-xCl材料的极化子能量

温静

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基于混晶模型和极化子微扰理论,研究了弱藕合下三元混晶AxB1-xC材料的极化子能级问题,推导了极化子能级表达式,给出了其随组分x变化的函数关系.对AlxGa1-xN和RbxK1-xC1两种典型的三元混晶进行了数值计算,与线性内插法计算结果进行了对比研究.研究结果表明:极化子能量随组分x增大而逐渐增加,呈现出线性变化趋势;两种计算方法在AlxGa1-x中吻合较好,而在混晶RbxK1-xC1中明显偏大于线性内插法,且随组分x增加偏差逐渐扩大.

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来源
《信息记录材料》 |2015年第3期|8-12|共5页
作者
温静;
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作者单位

内蒙古化工职业学院继续教育部,呼和浩特010010;

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正文语种 chi
中图分类半导体量子理论;
关键词
三元混晶; 极化子能量; 电子-声子相互作用; 量子阱;

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