首页> 中文会议>第六届全国分子束外延学术会议 >室温1.8-2.4μm波段InGaAsSb PIN探测器

室温1.8-2.4μm波段InGaAsSb PIN探测器

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

本文采用固态源分子束外延的方法,在n型掺TeGaSb衬底上生长了InGaAsSb/GaSb和AlGaAsSb/InGaAsSb/GaSb PIN型探测器结构.给出了探测器的能带结构及I-V特性.

著录项

来源
《第六届全国分子束外延学术会议》|2001年|121-122|共2页
会议地点贵阳
作者
林春; 郑燕兰; 李爱珍;
展开▼
作者单位

中国电子学会;

中国有色金属学会;

展开▼
会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类红外探测、红外探测器;化合物半导体;
关键词
PIN探测器; 能带结构; InGaAsSb材料;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. 新型室温中远波段红外探测器的关键工艺研究 [J] . 杨道虹 ,徐晨 ,董典红 . 仪表技术与传感器 . 2004,第004期
2. 光通信波段超高速PIN光电探测器的新进展 [J] . 刘家洲 ,李爱珍 ,张永刚 . 半导体光电 . 2001,第4期
3. 高功率GaSb基2.6微米InGaAsSb/AlGaAsSb Ⅰ型量子阱室温工作激光器 [J] . 柴小力 ,张宇 ,廖永平 . 红外与毫米波学报 . 2017,第003期
4. 室温工作的AlGaAsSb/InGaAsSb 2μm多量子阱脊波导半导体激光器 [J] . 张雄 ,李爱珍 ,张永刚 . 稀有金属 . 2004,第3期
5. 1.8μm波段台面条形结构InGaAsSb/AlGaAsSb量子阱激光器 [J] . 柏劲松 ,陈高庭 ,张云妹 . 半导体光电 . 2000,第5期
6. 室温1.8-2.4μm波段InGaAsSbPIN探测器 [C] . 林春 . 第六届全国分子束外延学术会议 . 2001
7. 可应用于室温太赫兹波段的二维Bi2Te3材料光电探测器研究 [A] . 徐新月 . 2019

获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

客服微信
服务号