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机译:InAs / InGaAsSbⅡ型W设计量子阱结构的八波段k p建模,用于在宽范围的中红外范围内发射的带间级联激光器
Institute of Physics, Wroclaw University of Technology, Wybrzeze Wyspianskiego 27, 50-370 Wroclaw, Poland;
Institute of Physics, Wroclaw University of Technology, Wybrzeze Wyspianskiego 27, 50-370 Wroclaw, Poland;
Institute of Physics, Wroclaw University of Technology, Wybrzeze Wyspianskiego 27, 50-370 Wroclaw, Poland;
机译:InAs / InGaAsSb II型W设计量子阱结构的八波段k·p建模,用于在宽范围的中红外范围内发射的带间级联激光器
机译:II型InAs / GaInAsSb量子阱中的界面混合设计用于中红外发射带间级联激光器的有源区域
机译:中波红外Ⅱ型InAs / GaSb超晶格带间级联光电探测器
机译:在InAs衬底上具有InAs / GaAsSb超晶格的中红外带间级联发光二极管
机译:半红外线发射量子级联激光在变质缓冲层上
机译:II型InAs / GaInAsSb量子阱中的界面混合设计用于中红外发射带间级联激光器的有源区域
机译:II型InAs / GaInAsSb量子阱中的界面混合设计用于中红外发射带间级联激光器的有源区域
机译:步进锥形有源区中红外量子级联激光器和埋置异质结构的新型制造工艺。