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新型室温中远波段红外探测器的关键工艺研究

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介绍了一种基于MEMS技术的新型室温中远红外波段硅基电容式红外探测器原理和制作工艺过程,并详细介绍了针对单面光刻机而采用的对准孔双面对准和键合对准技术、浓硼扩散EPW腐蚀停止技术制备超薄敏感硅膜以及薄膜的疏水处理等关键工艺.还对各环节所遇到的问题和其相应的解决方法进行了详细地阐述.

著录项

来源
《仪表技术与传感器》 |2004年第4期|3-4|共2页
作者
杨道虹; 徐晨; 董典红; 李兰; 吴畯苗; 张建铭; 阳启明; 邹德恕; 沈光地;
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作者单位

北京工业大学电子信息与控制工程学院北京市光电子技术实验室,北京,100022;

北京工业大学电子信息与控制工程学院北京市光电子技术实验室,北京,100022;

北京工业大学电子信息与控制工程学院北京市光电子技术实验室,北京,100022;

北京工业大学电子信息与控制工程学院北京市光电子技术实验室,北京,100022;

北京工业大学电子信息与控制工程学院北京市光电子技术实验室,北京,100022;

北京工业大学电子信息与控制工程学院北京市光电子技术实验室,北京,100022;

北京工业大学电子信息与控制工程学院北京市光电子技术实验室,北京,100022;

北京工业大学电子信息与控制工程学院北京市光电子技术实验室,北京,100022;

北京工业大学电子信息与控制工程学院北京市光电子技术实验室,北京,100022;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类红外技术及仪器;
关键词
MEMS; 腐蚀; 键合; 光刻;

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