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X射线光刻技术在GaAsIC制造中的应用

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作者对同步辐射X射线光刻技术,包括掩模、对准技术、光刻工艺及模拟、器件与电路制作进行了研究,已建立起一套较为完整的深亚微米X射线光刻技术,并研制出0.15微米的GaAsPHEMT器件与0.25微米的GaAs实验电路.

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来源
《第六届全国分子束外延学术会议》|2001年|21-22|共2页
会议地点贵阳
作者
叶甜春;
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作者单位

中国电子学会;

中国有色金属学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类光刻、掩膜;
关键词
X射线光刻;

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