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Method of manufacturing a mask for obtaining texturised patterns in resist layers using X-ray lithography

机译：使用x射线光刻技术制造用于在抗蚀剂层中获得纹理化图案的掩模的方法

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Mask for X-ray lithography with an absorber structure made of a material that strongly absorbs X-rays, the absorber structure being attached to a membrane made of magnesium.

机译：用于X射线光刻的掩模，其吸收器结构由可强烈吸收X射线的材料制成，该吸收器结构附着在镁制成的膜上。

著录项

公开/公告号EP0104685A2

专利类型
公开/公告日1984-04-04

原文格式PDF
申请/专利权人 PHILIPS PATENTVERWALTUNG GMBH;PHILIPS ELECTRONICS N.V.;
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申请/专利号EP19830201242
发明设计人 LENTFER ARNO;LÜTHJE HOLGER;
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申请日1983-08-31
分类号G03F1/00;
国家 EP
入库时间 2022-08-22 08:58:31

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