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一种高速CMOS模拟开关的研制

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本文介绍了一种高速CMOS模拟开关的研制,在TTL电平转换上采用两个支路同时工作,独特的衬底偏置设计保证开关的高速性能,在工艺上采用SI栅自对准CMOS工艺,研制的开关的导通和关断时间小于50ns.

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来源
《中国电子学会第八届青年学术年会暨中国电子学会青年工作委员会成立十周年学术研讨会》|2002年|162-165|共4页
会议地点合肥
作者
胡永贵; 蒲大勇; 李俊;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类半导体集成电路（固体电路）;应用;
关键词
CMOS开关; 硅栅自对准; 单片集成电路;

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