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用多孔硅作牺牲层制备硅基电容式微传声器

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摘要

提出了一种新的硅基电容式微传声器的制备方法,即采用多孔硅牺牲层技术制备声学孔,采用聚酰亚胺膜作声学振膜.采用该方法制备出的电容式微传声器器件,开路灵敏度为-107.8dB,在400~10kHz之间,频率响应较为平坦,可以实现语音通信.

著录项

来源
《第二届全国纳米技术与应用学术会议》|2002年|187-190|共4页
会议地点宁波
作者
宁瑾; 刘焕章; 葛永才; 刘忠立;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类制造工艺;
关键词
硅基电容式微传声器; 多孔硅; 牺牲层; 聚酰亚胺; 声学振膜;

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