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在直接隧道应力下2nm超薄氧化膜体缺陷的产生特性

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随着ULSI集成度的迅速提高,MOS器件尺寸已进入0.1微米量级.按等比例缩小规则,栅氧化层厚度已小于4nm.在MOS器件的正常工作电压下,超薄氧化膜的电流传导机制已由直接隧道电流代替F-N隧道电流,成为MOS器件和EEPROM器件性能退化的重要原因之一.所以,研究直接隧道应力下的超薄氧化膜体缺陷的产生特性,成为超薄氧化膜可靠性研究的重要课题之一.

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来源
《第八届全国固体薄膜学术会议》|2002年|87-89|共3页
会议地点长春
作者
许铭真; 谭长华; 段小蓉;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN304.055;
关键词
二氧化硅薄膜; 隧道应力; 晶体缺陷; MOS器件;

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