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许颖; 励旭东; 于元; 曹耀辉; 张华; 赵玉文;
中国电子学会;
颗粒硅带; 薄膜; 太阳电池; 多晶硅薄膜工艺; 外延生长;
机译:衬底偏置下直流磁控溅射在室温下沉积的玻璃衬底上的N型多晶硅薄膜的特性
机译:多晶硅TiO <下标> 2 下标>衬底上的异质取向外延生长TiO <下标> 2 下标> Splats
机译:多晶硅衬底上形成的GaN基纳米晶体的微观结构
机译:通过玻璃上的艾丽西亚多晶硅硅薄膜电池的阻抗分析进行C-V测量
机译:铌酸锂的拉曼散射和铌酸锂衬底上多晶硅的激光重结晶
机译:探索SiO2 / Si和蓝宝石衬底上MoS2的光学性质
机译:冶金法吸收多晶硅上的磷及其低成本MIS太阳能电池的探索
机译:底层氧化物和多晶硅衬底上4/3技术大规模集成电路光刻工艺的基线表征:专题报告
机译:去除施加到衬底上的多晶硅的方法包括在到达衬底的表面之前完全去除集成半导体装置的第一区域中的多晶硅。
机译:非易失性存储设备ROM,具有位于半导体衬底上的栅氧化层和位于多晶硅栅侧面的底部的阻挡氧化层,以及垂直置于衬底上的字线
机译:在用于制造MOST的半导体衬底上形成栅极,在衬底上形成栅极氧化物层,然后是多晶硅层,硅化钨层和氮化物阻挡层的工艺
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