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φ2″掺硅VB—GaAs体单晶材料制备

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本文简要对比了几种GaAs体单晶材料生长工艺的优劣,详细介绍了VB工艺生长过程及其关键技术,介绍了目前国内的VB—GaAs单晶研究水平.

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来源
《第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》|2002年|136-139|共4页
会议地点厦门
作者
牛沈军; 兰天平; 丰梅霞; 李文江;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN304.23;TN304.054;
关键词
GaAs单晶; VB工艺; 引晶技术; 单晶生长; 半导体材料; 晶体生长; 生长工艺;

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