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硅衬底上发光二极管的进展

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本文简要介绍在硅衬底上InGaN和AlGaInP发光二极管研制方面的进展,包括用硅作LED衬底的优缺点、缓冲层技术,片键合技术的发展以及Si上GaN基和AlGaInP LED器件的结果.

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来源
《海峡两岸第九届照明科技与营销研讨会》|2002年|17-21|共5页
会议地点南京
作者
陆大成;
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作者单位

中国照明学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN312.8;
关键词
LED; 硅衬底; 缓冲层技术; 片键合技术;

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