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质子辐照用于改善大功率快速晶闸管的特性

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摘要

采用3.7MeV-5.9MeV质子辐照对500A、1600V快速晶闸管实现了局部少子寿命的控制.对质子辐照在器件中的缺陷浓度进行了TRIM模拟.对通态电压V<,TM>和关断时间t<,q>的折衷关系进行了研究,确定了最佳的质子辐照能量,4.7MeV的质子辐照峰值缺陷位于快速晶闸管的N基区中间,可获得最佳的通态电压和关断时间的折衷.

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来源
《中国电工技术学会电力电子学会第八届学术年会》|2002年|127-130|共4页
会议地点深圳
作者
张昌利; 金银东; 金相哲; 宋根浩; 金南均; 王正鸣; 陆剑秋; 张建平; 李建华; 朱佳政; 杨丙凡; 胡选文;
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作者单位

中国电工技术学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类可控硅器件;电工基础理论;
关键词
晶闸管; 少子寿命; 质子辐照; 载流子分布;
入库时间 2022-08-17 10:15:53

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