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AlGaAs/GaAs多量子阱表面光伏的真空特性

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测量AlGaAs/GaAs多量子阱在不同真空度中的表面光伏谱,研究半导体量子阱表面态的真空敏感机理.半导体量子阱表面光伏与真空度有关,主要是由于表面吸附的氧原子的作用.

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来源
《第十二届华东六省一市物理学联合年会》|2003年|76-77|共2页
会议地点泰安
作者
朱文章; 刘慧英;
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作者单位

中国物理学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类半导体量子理论;
关键词
半导体量子阱; 表面光伏; 真空特性;

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