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现场测量薄膜残余张应力的T-型结构

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由于T-型结构对残余张应力敏感,所以可用于现场残余张应力的测量.在考虑樑中残余张应力情况下,给出了关于残余张应力和杨氏模量比值的理论计算公式的推导过程,用LPCVD技术制作了几种不同大小的T-型梁结构,并用两种公式计算了残余张应力与杨氏模量比值,两种公式的计算结果相差9.65％.

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来源
《2003第三届精密工程学术研讨会》|2003年|38-41|共4页
会议地点哈尔滨
作者
徐方迁; 徐联; 何世堂;
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作者单位

中国仪器仪表学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类薄膜测量与分析;薄膜中的力学效应;
关键词
薄膜结构; 残余张应力; 张应力测量; T-型结构; 杨氏模量;

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