采用磁控溅射工艺试制低TCR的Cr—Si<,2>薄膜电阻

摘要

本文以Cr-Si<,2>为靶材,采用高频磁控溅射工艺,试制出一种方阻为2kΩ/□的电阻薄膜,其TCR可优于±20ppm/℃,已应用在产品中,取得了较好的效果.