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殷景志; 杜国同; 杨树人; 许武; 宣丽;
中国有色金属学会;
光放大器; 应变补偿结构; 多量子阱结构; InP基; 偏振不灵敏;
机译:拉伸应变栅垒激光二极管的偏振不灵敏光电探测器特性
机译:应变式InGaAsP多量子阱结构,用于基于InP的宽线宽和偏振不敏感的半导体光放大器
机译:半绝缘InP:Fe用于气体源分子束外延生长的掩埋异质结构应变补偿量子级联激光器
机译:气源分子束外延生长InP上InGaAs / InAlP高压缩应变多量子阱结构中界面应变和平均应变的应变补偿
机译:用于太阳能电池的(铟,镓)砷化物量子点材料:应变降低和应变补偿势垒对量子点结构和光学性质的影响
机译:应变补偿的InGaAsP超晶格用于通过金属有机化学气相沉积减少在精确取向的(001)图案化Si衬底上生长的InP的缺陷
机译:在INP上生长的应变补偿InGaAs / Alas量子井结构的短波长运动轴吸收
机译:用于开发高效相干源的重应变和应变补偿的I型Gasb基异质结构的研究,工作范围为2.3 - 3.5微米
机译:InP基层中的Al尖峰作为阻挡InP基结构中锌扩散的屏障
机译:应变补偿的半导体结构及制造该应变补偿的半导体结构的方法
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