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与Ge衬底完全晶格匹配的GaInP2/Ga(In)As/Ge多结太阳电池

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本文在GaInP2/GaAs双结电池研究的基础上,开展了Ge衬底上多结太阳电池的研究.实验在E400型MOCVD系统上进行,以n型Ge衬底上的P<'+>/n双结电池做为工作的起点.

著录项

来源
《中国有色金属学会第八届全国MOCVD学术会议》|2003年|60-60|共1页
会议地点牡丹江
作者
陈文浚; 肖志斌; 乔在祥; 孙强; 许军; 章健; 刘海港; 马荣凯;
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作者单位

中国有色金属学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类太阳能电池;
关键词
多结太阳电池; Ge衬底; MOCVD; 器件工艺;

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