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一种X波段GaAs MMIC单刀双掷开关的设计和测试

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本文设计了基于0.2μm GaAs工艺的X波段微波单片集成的单刀双掷开关电路.在频率为8~11GHz内,电路在具有较好的隔离特性之外还可保持较小的差损.仿真插损为0.8dB左右,隔离度大于30dB.实际流片测试结果和设计结果较为吻合.

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来源
《2003全国微波毫米波会议》|2003年|342-345|共4页
会议地点上海
作者
李芹; 王志功; 夏春晓; 熊明珍;
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作者单位

中国电子学会;

上海航天局;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类各种开关;半导体集成电路（固体电路）;
关键词
单刀双掷开关; 单片微波集成电路; 插损; 隔离度; X波段;

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