大功率670nm半导体激光器的研制

摘要

采用低压金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长了670nm激光器外延片,有源区采用单量子阱结构,阱区、垒区分别为InGaAsP和AlGaInP.利用该外延制作了带无电流注入区的氧化物条形激光器.激光器腔长为900um,电流注入区条宽100um,两端的无注入区宽度均为25um.镀膜后器件的阈值电流为0.38A,输出波长670±2nm,最大输出功率为1100mW,水平、垂直发散角分别为8°、40°.这表明该种结构可以提高器件的腔面光灾变(COD)功率.