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关于抛光硅片清洗和IPA干燥技术的研究

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介绍了采用OPSC溶浸式湿法化学清洗工艺,同时使用串联的SC-1槽和兆声功能来去除颗粒,使用含O<,3>的去离子水形成均匀硅氧化膜,最后用IPA干燥.整个系统采用多功能全自动的清洗,生产出的100mm、125mm、150mm抛光硅片,达到较理想的清洗效果.本文对进一步消除IPA干燥后的边缘目检缺陷(edge spot)做了几点探讨,使抛光硅片的目检缺陷降低在可控范围内.

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来源
《2004年中国材料研讨会》|2004年|92-95|共4页
会议地点北京
作者
齐旭东; 熊诚雷; 史舸; 郭体强; 王文;
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作者单位

中国材料研究学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类表面处理;
关键词
硅片抛光; 溶浸式清洗; 干燥工艺; 目检缺陷;

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