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P(VCH-E-VCH)三嵌段共聚物薄膜的表面形貌观察

摘要

本文通过改变成膜温度(分别为74℃、100℃、118℃和126℃)来调节溶剂的挥发速度,成膜温度越高,溶剂挥发速度越大.利用spin-coating的成膜方法,以十氢萘为溶剂,溶液浓度为0.1g/10ml,转速为1.0Kr/min,于不同温度下在硅片上制备了厚度相近的P(VCH-E-VCH)三嵌段共聚物薄膜,室温真空干燥后用原子力显微镜(AFM)对该嵌段共聚物薄膜的表面形貌进行了观察.

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