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吴南春; 中国科学院上海硅酸盐研究所; 夏义本; 谭寿洪; 王林军;
中国机械工程学会;
纳米金刚石薄膜; 显微结构; 电学性能; 化学气相沉积;
机译:正偏压对未掺杂纳米晶金刚石薄膜电学性能的影响
机译:金刚石晶粒尺寸对纳米晶金刚石薄膜探测器电学性能的影响
机译:石墨丝的起源对改善CH 4 inf> / Ar等离子体中负偏压增强的生长超纳米晶金刚石薄膜电子场发射性能的影响
机译:低正偏压对偏压辅助热解-CVD法掺杂氮的非晶碳薄膜电学性能的影响
机译:晶体结构和界面形成对纳米粒子印刷薄膜电学性能的影响。
机译:正硅上包覆的石墨烯-纳米晶嵌入碳膜的偏压调制高光电响应
机译:应用偏压下具有抗反射透明ITO和等离子体铟纳米粒子的mOs结构硅太阳能电池的光学和电学性能
机译:燃烧火焰生长金刚石薄膜的TEm显微结构研究
机译:使用分散有金纳米颗粒的氢导电聚合物纳米线的金刚石薄膜电极检测多巴胺,能够选择性地检测多巴胺而不受抗坏血酸的影响
机译:用于加速负偏压温度不稳定性(NBTI)和/或正偏压温度不稳定性(PBTI)恢复的功率午睡技术
机译:加速负偏压温度不稳定性(NBTI)和/或正偏压温度不稳定性(PBTI)恢复的功率抑制技术
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