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B位掺杂Bi4Ti3O12的研究

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制备了不同半径和价数的离子B位掺杂的BTNb,BTV,BTZr,BTHf陶瓷,并且对其性能进行了测量.发现B位掺杂可以显著增加陶瓷的2Pr,同时可以改善抗疲劳性能.研究结果表明掺杂离子半径和价数都对剩余极化有一定影响,此外掺杂离子和氧离子的电子轨道杂化也会影响材料的剩余极化.

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来源
《第十一届全国电介质物理、材料与应用学术会议》|2005年|292-295|共4页
会议地点成都
作者
顾骏; 李伟; 吕笑梅; 朱劲松;
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作者单位

中国物理学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类电学性质;
关键词
铁电陶瓷; 钛酸铋; B位掺杂; 抗疲劳性能; 剩余极化;

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