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Bi4Ti3O12陶瓷及其A和B位掺杂的介电研究

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摘要

测量了Bi4Ti3O12(BTO)陶瓷及其A和B位掺杂的系列材料介电损耗.在温度损耗谱上观察到一损耗峰,通过氧处理和内耗等相关实验手段,证实该峰(P1峰)是与氧空位有关的弛豫峰.同时观察该峰随不同掺杂类型的变化,分析了BTO陶瓷B位掺杂对铁电性的影响.

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来源
《哈尔滨理工大学学报》 |2002年第6期|22-23,26|共3页
作者
姚阳阳; 宋春花; 包志豪; 朱劲松; 王业宁;
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作者单位

南京大学,固体微结构物理重点实验室,江苏,南京,210093;

南京大学,固体微结构物理重点实验室,江苏,南京,210093;

南京大学,固体微结构物理重点实验室,江苏,南京,210093;

南京大学,固体微结构物理重点实验室,江苏,南京,210093;

南京大学,固体微结构物理重点实验室,江苏,南京,210093;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类介电物理;
关键词
介电损耗; Bi4Ti3O12,O12及A/B位掺杂; 弛豫峰;

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