气相燃烧法制备高分散性掺锑氧化锡(ATO)及其表征

摘要

以无水SnCl4、SbCl3为主要原料,利用多重射流氢氧焰燃烧反应器制备高分散性的掺锑氧化锡(Antimony-doped tin oxide,ATO)纳米导电粉体,借助于TEM、EDS、FTIR、XRD等方法研究了ATO粉体的形貌和组成,并对粉体的导电性能进行了测试.气相燃烧法制备的ATO粉体粒径为7～10 nm,分散性良好,具有典型的四方相金红石结构.随着燃烧反应火焰的提高,晶粒长大,导电性能提高.火焰温度为1000℃,Sb掺杂量为10％的粉体导电性能最高,测试条件下体积比电阻达到362 Ω/cm.