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利用TEM对Si基片与MgO基片上生长的薄膜特性的研究

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摘要

对生长在Si和MgO单晶基片上的不同厚度的单层NbN薄膜、双层薄膜AlN/NbN以及三层薄膜NbN/AlN/NbN应用透射电子显微镜技术进行了分析研究,对这几种薄膜样品的微观结构、薄膜厚度以及各个边界的一些直观细节给出了较为清晰的图像.由透射电子显微镜的电子衍射图案计算了薄膜和单晶衬底的晶格常数.

著录项

来源
《第九届全国超导薄膜和超导电子器件学术会议》|2006年|38-40|共3页
会议地点成都
作者
昌路; 康琳; 刘希; 赵少奇; 吴培亨;
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作者单位

中国电子学会;

电子科技大学;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类薄膜物理学;
关键词
电子显微镜; 薄膜生长; 电子衍射图案; 硅基片; 氧化镁基片;

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