硅锗合金Seebeck系数与组分和温度关系的研究

摘要

作为一种洁净能源,硅锗合金的热电转换性能的研究越来越受到人们的重视.本文重点研究了不同Ge浓度的SiGe合金晶以及Si、Ge单晶在300～1100K温度范围内,塞贝克系数(Seebeck)随温度的变化.并对组分相同导电类型不同,晶向不同,以及结晶状态不同的样品的Seebeck系数进行了比较.在研究温度区间,塞贝克系数的绝对值大小一般在200～600μV/K之间,随温度不同连续变化.通过对比我们发现SiGe合金的Seebeck系数大小不仅与Ge的浓度和温度变化有关,其他因素对其绝对值也有影响,其中晶向最为明显,SiGe合金的Seebeck系数表现出了明显的各向异性.