自增韧型多孔氮化硅陶瓷力电性能研究

摘要

本文应用湿法成型、气压烧结等工艺方法,制备了自增韧型多孔氮化硅样品.控制材料气孔率,在满足材料低介电常数的同时,大幅改善材料高温力学性能.通过性能测试及SEM,分析样品介电及力学性能变化规律.样品性能优化后,样品室温弯曲强度达到247MPa,1300℃下保温1800s后,弯曲强度仍有185MPa,样品相应室温介电常数为4.2～4.3(7～18GHz),介电损耗≤3×10-3,室温至1200℃介电常数变化范围是4.2～4.5,变化幅度≤8％,介电损耗≤5×10-3.