掺NbITO膜的光电性能研究

摘要

本文采用直流磁控溅射法溅射掺铌Nb的ITO靶来制备掺铌ITO膜.研究分析了基片温度、氧氩比O2:Ar、工作气压、溅射功率等工艺参数对样品的光学性能和电学性能的影响.通过四探针测试仪、紫外分光光度计、X射线衍射(XRD)及靶的电子能谱仪(EDX)对样品进行测试分析,得到以下结论:掺铌ITO膜电阻率最小可达到2.583×10-4Ω·cm,平均透光率可达75％以上.ITO膜沿(400)晶面择优生长.