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几种SOI结构的重粒子与质子辐照模拟研究

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摘要

针对以SiO2及以Al2O3、Si3N4为埋层的SOI结构,利用SRIM软件进行了重粒子和质子辐射的模拟.在分析不同入射角度及能量对各种辐射损伤的影响后,重点模拟了100keV质子和1MeV F离子对三种SOI结构以及等厚度体硅结构的辐射,对比分析了不同结构条件下的损伤状况.

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来源
《2006全国荷电粒子源、粒子束学术会议》|2006年|164-166|共3页
会议地点武汉
作者
赵玉清; 王炎武;
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作者单位

中国物理学会;

中国电工技术学会;

中国电子学会;

中国电机工程学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类结构、器件;
关键词
SOI结构; 重粒子; 质子; 辐射损伤; 入射角;
入库时间 2022-08-17 10:32:14

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