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快速热处理辐照掺氮直拉单晶硅中氧沉淀的红外吸收谱研究

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研究了快速热处理(RTP)对快中子辐照掺氮直拉硅中氧沉淀的作用,对不同辐照剂量的样品先进行的不同温度和降温速率的RTP,再将其与没有经历RTP的样品放入单管扩散炉中进行1100℃高温20h一步退火,保护气氛为氩气.利用常温傅里叶红外变换方法测量样品的间隙氧含量.利用低温傅里叶红外变换方法研究样品中的氧沉淀,光学显微镜用来观察样品体内的缺陷形貌.实验发现,RTP不能改变氧沉淀进程,但是低的降温速率有助于氮氧复合体及片状氧沉淀的生成.RTP温度越高,缺陷密度越低,清洁区越宽.

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来源
《第十四届全国分子光谱学学术会议》|2006年|41-42|共2页
会议地点长春
作者
陈贵锋; 刘丽丽; 李养贤; 李兴华; 蔡莉莉; 宋守丽; 李永章; 陈东风;
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作者单位

中国化学会;

中国光学学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类光化学分析法（光谱分析法）;
关键词
掺氮直拉单晶硅; 快速热处理; 红外吸收光谱; 中子辐照; 氧沉淀;
入库时间 2022-08-17 10:31:20

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