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国产双极工艺电路低剂量率效应辐照损伤敏感性分析

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本文以二代二期首批选用的国产双极工艺器件OP27、JF139为研究对象,开展了不同剂量率辐照试验,给出了国产和进口器件辐射敏感参数及其退化趋势,分析了器件的低剂量率辐照敏感特征,给出了试验的结论和后续工作建议.

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来源
《中国工程院第二届”空间信息技术与应用展望“院士论坛暨2014年空间电子学学术年会》|2014年|513-518|共6页
会议地点西安
作者
Pengwei Li; 李鹏伟; 张洪伟; Hongwei Zhang; Yanqiu Liu; 刘艳秋; Yinchao Wang; 王颖超; Ming Sun; 孙明; Min Tang; 唐民; 王勇; Yong Wang; Xingji Li; 李兴冀;
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作者单位

中国电子学会空间电子学分会;

中国宇航学会空间电子学专业委员会;

中国工程院信息与电子工程学部;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN431:TN401;
关键词
双极工艺电路; 低剂量率效应; 辐照损伤; 敏感性分析;

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