第一性原理研究SinB(n=1～12)团簇的稳定性

摘要

本文基于密度泛函理论(DFT), 研究了SinB(n=1～12)团簇的稳定性。结果表明：SinB的基态构型是在Sin-1B的基态或亚稳态构型上带帽一个Si原子而得到；随着团簇尺寸的增大, B原子逐渐从吸附在Sin团簇的表面位置移动到Sin团簇笼内；掺杂B原子提高了纯硅团簇的稳定性；电子总是从Si向B转移, B原子所带的电荷数不仅与B原子的配位数有关, 还与SinB团簇的基态结构密切相关。