ICP-MS法定量分析硅片表面金属杂质含量

摘要

在半导体生产过程中，硅片表面金属离子的污染可使二极管、晶体管性能变差，反向饱和电流迅速加大，甚至有可能使整个管子报废，器件完全失效。因此，分析测试硅片表面金属离子的含量对监控硅片表面的清洁度至关重要。 本工作采用HF+HN03溶解硅片表面金属离子，再用ICP-MS法对溶液中6个重要金属离子进行检测.