ZnO纳米线阵列的图形化生长

摘要

采用光刻和射频磁控溅射技术在Si衬底上制备了图形化的ZnO种子层薄膜。分别采用气相输运和水热合成法,制备了最小单元为30μm的图形化的ZnO纳米线阵列.X射线衍射(XRD)分析显示单晶纳米线阵列具有高度的c轴[001]择优取向生长性质.从扫描电子显微镜(SEM)照片看出,阵列图形完整清晰,边缘整齐.纳米线阵列在室温下光致发光(PL)谱线中在380nm左右具有强烈的紫外发射峰,可见光区域发射峰得到了抑制,证明ZnO纳米线阵列氧空位缺陷少,晶体质量高。