反应烧结压力对Bi2Te3半导体材料组织与性能的影响

摘要

本文以Bi和Te的单质为原料,用同相反应烧结法制备Bi2Te3 P型半导体制冷材料。实验采用X射线衍射仪、莱卡光学显微镜分析压制工艺对材料组织性能的影响。实验结果表明:压力的增加,塞贝克系数减少.压力较小时有BiTe存在,压力增加BiTe减少,Bi2Te3增加,300KN时基本为纯Bi2Te3。