一种星用D/A转换器抗辐射加固技术研究

摘要

介绍了一种星用16位D/A转换器抗辐射加固设计和加固工艺技术。根据卫星辐照环境特点,主要从系统结构加固设计、关键单元加固设计和工艺加固技术等方面进行了阐述;重点对2.0μm CBiCMOS加固工艺的器件结构设计原理进行了详细阐述,给出器件仿真数据和实验结果;最后,根据辐照试验进行了分析.采用该加固工艺研制的星用16位D/A转换器实现了工作电压±5.0 V、转换速率≥30 MSPS、建立时间≤50ns、线性误差≤±8 LSB、微分误差≤±8 LSB等性能指标,抗辐射达到中子：5x1013n/cm2、γ总剂量：5.0x103Gy(Si)水平。